大家第二大存储芯片制造商SK海力士周四（8月29日）示意yinpinse，已确立出业界首款第六代10纳米级动态随即存取存储器（DRAM）芯片，该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。

　　SK海力士在一份声明中示意，这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。

　　据先容，这次1c 16Gb DDR5芯片将主要用于高性能数据中心，其运行速率为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代比较速率普及了11%；此外该芯片还比前一代的能效普及了9%以上。

　　该公司还示意，在面前东谈主工智能闹热发展的时候，这不错匡助数据中心减少多达30%的电力资本。

卡通次元

　　这次的1c工艺所以1β工艺为基础，1β工艺即是上一代DRAM芯片吸收的第五代10纳米本领，其以最好性能的DRAM而广受歌唱的。为了减少在鞭策经由中产生的潜在诞妄，并以最有用的形态鼎新1β的上风，该公司彭胀了1β的DRAM平台以确立1c。

　　公司声明中写谈，“公司以第五代（1β）本领力为基础，普及了贪图完成度，最初松弛了本领极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从来岁运转供应家具，引颈半导体存储器市集发展。”

　　DRAM确立部门认真东谈主Kim Jonghwan示意yinpinse，“1c工艺本领兼备着最高性能和资本竞争力，公司将其欺诈于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等开端进DRAM主力家具群，由此为客户提供分辨化的价值。”